STMicroelectronics costruirà un impianto integrato per la produzione di substrati in carburo di silicio in Italia

Share

STMicroelectronics, leader globale nei semiconduttori con clienti in tutti i settori applicativi dell’elettronica, costruirà un impianto integrato per la produzione di substrati in carburo di silicio (SiC) in Italia per supportare la domanda crescente di dispositivi SiC per applicazioni automotive e industriali da parte dei clienti ST che mirano a realizzare la transizione verso l’elettrificazione e richiedono maggiore efficienza. Si prevede che la produzione inizi nel 2023 e bilanci l’approvvigionamento di substrati in SiC tra materiali prodotti internamente e acquistati da fornitori esterni. L’impianto di produzione di substrati in SiC, costruito nel sito ST di Catania accanto allo stabilimento esistente che produce dispositivi in SiC, sarà il primo nel suo genere in Europa per la produzione in volumi di substrati epitassiali in SiC da 150 mm, e integrerà tutti i passaggi del flusso produttivo. ST è impegnata a sviluppare substrati da 200 mm nel prossimo futuro. Questo progetto rappresenta un passaggio chiave per la progressiva attuazione della strategia di integrazione verticale di ST nelle attività in SiC. L’investimento di 730 milioni di euro in un arco di cinque anni avrà il supporto finanziario dello Stato italiano nell’ambito del Piano Nazionale di Ripresa e Resilienza e, una volta completato, creerà circa 700 nuovi posti di lavoro diretti. “ST sta trasformando le sue attività produttive globali, con una capacità addizionale nella produzione a 300 mm e una forte focalizzazione sui semiconduttori a larga banda interdetta, a sostegno della sua ambizione di raggiungere i 20 e oltre miliardi di dollari di ricavi. Stiamo ampliando le nostre attività operative a Catania, il centro delle nostre competenze nei semiconduttori di potenza e dove abbiamo già integrato attività di ricerca, sviluppo e produzione per il SiC in stretta collaborazione con istituti di ricerca italiani, università e fornitori,” ha dichiarato Jean-Marc Chery, nella foto, President & Chief Executive Officer di STMicroelectronics. “Questo nuovo impianto sarà fondamentale per la nostra integrazione verticale nel SiC, ampliando la nostra fornitura di substrati in SiC in una fase in cui aumenteremo ulteriormente i volumi per sostenere la transizione da parte dei nostri clienti dei settori automotive e industriale verso l’elettrificazione e maggiore efficienza”.