STMicroelectronics e Soitec collaborano
su tecnologia per produrre substrati in SiC

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STMicroelectronics, leader globale nei semiconduttori con clienti in tutti i settori applicativi dell’elettronica, e Soitec, leader nella progettazione e produzione di materiali semiconduttori innovativi, annunciano la nuova fase della loro collaborazione sui substrati in SiC (carburo di silicio), che prevede che ST qualifichi la tecnologia dei substrati in SiC di Soitec nel corso dei prossimi 18 mesi. L’obiettivo di questa collaborazione è l’adozione da parte di ST della tecnologia SmartSiC™ di Soitec per la futura produzione di substrati da 200 mm che andranno ad alimentare le sue attività di produzione di dispositivi e moduli, con una produzione in volumi prevista a medio termine. “Il passaggio alle fette in SiC da 200 mm apporterà vantaggi sostanziali ai nostri clienti dei settori automotive e industriale, mentre accelerano la transizione verso l’elettrificazione dei loro sistemi e prodotti. È importante per trainare economie di scala e accompagnare l’espansione in volumi dei prodotti”, ha dichiarato Marco Monti, nella foto, President Automotive and Discrete Group di STMicroelectronics. “Abbiamo scelto un modello integrato verticalmente per massimizzare il nostro know-how nell’intera catena di produzione, dai substrati di alta qualità fino alla produzione front-end e back-end su larga scala. L’obiettivo della collaborazione tecnologica con Soitec è continuare a migliorare le rese e la qualità della nostra produzione”. “L’industria dell’automobile sta attraversando un profondo cambiamento con l’avvento dei veicoli elettrici. La nostra tecnologia molto avanzata SmartSiC™, che adatta il nostro esclusivo processo SmartCut™ ai semiconduttori in carburo di silicio, svolgerà un ruolo chiave nell’accelerare la loro adozione”, ha dichiarato Bernard Aspar, Chief Operating Officer di Soitec. “La combinazione dei substrati SmartSiC™ di Soitec con il knowhow e la tecnologia di STMicroelectronics leader nel settore del carburo di silicio è un game changer per la produzione di chip nel settore automotive e fisserà nuovi standard.” Il carburo di silicio è un materiale semiconduttore composto grandemente innovativo, le cui proprietà intrinseche consentono di ottenere livelli di prestazioni ed efficienza superiori rispetto al silicio in applicazioni di potenza strategiche e in forte crescita nei campi della mobilità elettrica, dei processi industriali e non solo. Rende possibile una conversione di potenza più efficiente, la progettazione di soluzioni più leggere e compatte e una riduzione complessiva dei costi di progettazione del sistema – tutti parametri e fattori chiave per il successo dei sistemi in campo automotive e industriale. La transizione dalle fette da 150 mm a quelle da 200 mm consentirà un incremento sostanziale della capacità produttiva, permettendo di arrivare quasi a raddoppiare l’area utile per la produzione di circuiti integrati e aumentando di 1,8-1,9 volte il numero dei chip realizzabili per wafer. SmartSiC™ è una tecnologia proprietaria di Soitec che utilizza la tecnologia SmartCut™, anch’essa proprietaria di Soitec, per dividere un sottile strato di una fetta in SiC di alta qualità, il cosiddetto “donatore”, e lo lega su una fetta polySiC a bassa resistività, denominata “handle”. Il substrato così strutturato migliora le prestazioni dei dispositivi e le rese di produzione. Il “donatore” in SiC di alta qualità può essere riutilizzato più volte, riducendo sensibilmente il consumo di energia complessivo necessario per produrlo.